IT之家 2 月 18 日消息，高通在去年 11 月發(fā)布了驍龍 8 Gen 2 芯片，基于臺積電 4nm 工藝。今年可能會有驍龍 8+ Gen 2 芯片，性能會更強。高通也可能會跳過推出 Plus 版 SoC，但將在今年晚些時候推出驍龍 8 Gen 3 芯片。

驍龍 8 Gen 2 芯片峰值頻率為 3.2GHz，三星 Galaxy S23 系列中得驍龍 8 Gen 2 超頻版本峰值時鐘速度為 3.36GHz。預計今年推出得驍龍 8 Gen 3 芯片將帶來更好得性能，同時降低功耗。

IT之家了解到，驍龍 8 旗艦芯片通常在每年 Q4 推出，此前為 12 月初，去年提前到 11 月 16 日。近期微博博主 等數(shù)碼閑聊站 稱，今年驍龍 8 Gen 3 芯片還會提早一丟丟發(fā)布（預計將在 2023 年 10 月底或 11 月初）。不過各廠商得手機排期仍然是 Q4 季度。

目前關于驍龍 8 Gen 3 芯片得細節(jié)尚不清楚。據(jù)曝光得跑分顯示，驍龍 8 Gen 3 芯片得 CPU 性能將比驍龍 8 系列 SoC 提升 25%。驍龍 8 Gen 3 for Galaxy 芯片在 Geekbench 早期測試中，單核分數(shù)為 1930，, 多核分數(shù)為 6236。

消息稱驍龍 8 Gen 3 for Galaxy 將采用 1+5+2 核心配置，比當前驍龍 8 Gen 2 for Galaxy 得 1+4+3 設置多一個能效核心。得益于臺積電 N4P 工藝節(jié)點，其能效可能比驍龍 8 Gen 2 高出 20%。